11-3 裏面照射型高速度CCDの構造の検討(第11部門 センシング1)
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概要
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A structure of backside illuminated ultrahigh-speed CCD is studied. Potential profile of n-/p-/p+ structure is calculated by three-dimensional semiconductor device simulator. To minimize transit time, doping profile of n-/p-/p+ structure is optimized.
- 一般社団法人映像情報メディア学会の論文
- 2009-08-26
著者
-
丸山 裕孝
NHK放送技術研究所
-
江藤 剛治
近畿大学理工学部
-
林田 哲哉
NHK放送技術研究所
-
江藤 剛治
近畿大学
-
新井 俊希
NHK放送技術研究所
-
米内 淳
NHK放送技術研究所
-
北村 和也
NHK放送技術研究所
-
林田 哲哉
NHKエンジニアリングサービス
-
バン・クイク ハリー
ダルサ株式会社
-
丸山 裕孝
Nhk放送センター
-
丸山 祐孝
Nhk 放送技術研究所
-
北村 和也
Nhk放送技術研究所:静岡大学創造科学技術大学院
-
van Kuijk
ダルサ株式会社
-
バン クイク
テレダインダルサ株式会社High Tech Campus
-
米内 淳
NHK放送技術研究所撮像・記録デバイス研究部
-
丸山 裕孝
NHK放送技術研究所撮像記録デバイス研究部
-
新井 俊希
NHK放送技術研究所撮像記録デバイス研究部
-
新井 俊希
NHK放送技術研究所撮像・記録デバイス研究部
-
北村 和也
NHK放送技術研究所:国立大学法人静岡大学
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