低電圧動作CMOSディジタル回路のためのゲート幅実効調整方式素子特性ばらつき補償技術の検討(ポスター講演,ポスターセッション,学生・若手技術者育成のための研究会)
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概要
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近年、LSIの微細化に伴い素子特性のばらつきがより顕著になっている。また、電源電圧が低下すると、閾値電圧のばらつきが集積回路の特性に悪い影響を与える。本稿では、この低電圧化の課題をゲート幅の実効的な変化による補正により解決する手法を提案する。
- 2011-12-08
著者
-
松岡 俊匡
大阪大学大学院工学研究科
-
松岡 俊匡
大阪大学
-
松岡 俊匡
大阪大学大学院工学研究科電子情報エネルギー工学専攻
-
上田 瞬
大阪大学大学院工学研究科
-
宮脇 祐介
大阪大学大学院工学研究科
-
宮脇 祐介
大阪大学
-
岸和田 泰
大阪大学大学院工学研究科
-
上田 瞬
大阪大学
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