C-2-31 バイアス独立制御型2ダイオードリニアライザによるF級GaN HEMT電力増幅器のひずみ補償(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)

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概要

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• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2009-09-01

著者

• 本城 和彦

  電気通信大学

• 高山 洋一郎

  電気通信大学

• 石川 亮

  電気通信大学

• 本城 和彦

  (株)ワイケーシー

• 安藤 晃洋

  電気通信大学

• 吉田 剛

  電気通信大学

• 安藤 晃洋

  電通大

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