ダイオードリニアライザによる高効率F級GaN HEMT電力増幅器のひずみ補償(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
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概要
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ダイオードリニアライザを用いて高効率F級GaN HEMT電力増幅器のひずみ補償を行い,良好な特性を得た.まず,F級GaN HEMT電力増幅器のひずみ特性および,ダイオードリニアライザのひずみ補償のシミュレーションによる検討を行った.次に,その結果に基づいて実際に直列ダイオードリニアライザを設計・試作し,F級GaN HEMT電力増幅器の前段に挿入し,三次相互変調ひずみ(IMD3)でほぼ10dB補償,ドレーン効率最大出力点からバックオフ12dB以上で-35dBc以下のIMD3を得ることができた.またダイオードリニアライザを挿入したときの最大ドレーン効率は68.1%であり高効率低ひずみを得ることができた.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-01-07
著者
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