高山 洋一郎 | 電気通信大学
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概要
関連著者
-
高山 洋一郎
電気通信大学
-
本城 和彦
電気通信大学
-
石川 亮
電気通信大学
-
本城 和彦
電気通信大学先端ワイヤレスコミュニケーション研究センター
-
本城 和彦
(株)ワイケーシー
-
吉田 剛
電気通信大学
-
安藤 晃洋
電気通信大学
-
高木 裕貴
電気通信大学
-
河合 慧
電気通信大学
-
安藤 晃洋
電通大
-
田崎 悟史
電気通信大学
-
高山 洋一郎
電気通信大学先端ワイヤレスコミュニケーション研究センター
-
本城 和彦
電気通信大学AWCC
-
渡邉 真太朗
電気通信大学
-
高橋 幸夫
電気通信大学
-
菅 信朗
新日本無線(株)
-
高山 洋一郎
電気通信大学AWCC
-
石川 亮
電気通信大学AWCC
-
井口 洋輔
電気通信大学
著作論文
- 直列接続負荷形GaN HEMTマイクロ波ドハティ電力増幅器の設計・試作
- ダイオードリニアライザによる高効率F級GaN HEMT電力増幅器のひずみ補償(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- C-2-21 ダイオードリニアライザによる高効率F級GaN HEMT電力増幅器のひずみ補償(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-42 多段RC熱等価回路のマルチセルHBT適用と相互変調ひずみ評価(C-2. マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- 超高周波トランジスタ電力増幅器のひずみ特性及びその低減
- 直列接続負荷形マイクロ波ドハティ電力増幅器(マイクロ波,超伝導)
- 自動バイアス制御ダイオードリニアライザを用いたF級GaN HEMT電力増幅器のひずみ改善
- C-2-34 直列接続型GaN HEMTドハティ電力増幅器のひずみ特性改善(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-35 自動バイアス制御型ダイオードリニアライザによるF級GaN HEMT電力増幅器のひずみ補償(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- 直列接続負荷型GaN HEMTドハティ電力増幅器のひずみ低減手法の提案(一般及び学生研究会,学生研究会/一般)
- C-2-31 バイアス独立制御型2ダイオードリニアライザによるF級GaN HEMT電力増幅器のひずみ補償(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- ダイオードリニアライザによる高効率F級GaN HEMT電力増幅器のひずみ補償(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- C-2-17 独立バイアス形カスコード電力増幅回路の実験的検証(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- 独立バイアス形カスコード電力増幅器及びその高効率・低ひずみ設計
- C-2-33 独立バイアス形カスコード電力増幅器及びその高効率・低ひずみ設計(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-29 GaN HEMTを用いた直列接続負荷形マイクロ波ドハティ増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- マイクロ波電力増幅器の高効率化・低ひずみ化のための基礎とその応用(マイクロ波論文(大学発))
- CS-2-2 トランジスタ発振器の二端子発振回路解析(CS-2.高周波かつ低位相雑音という相容れない要求に応える発振回路の最新技術,シンポジウムセッション)
- 直列接続負荷形マイクロ波ドハティ電力増幅器(マイクロ波,超伝導)
- C-2-32 直列接続負荷形マイクロ波ドハティ増幅器(C-2. マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- マイクロ波GaAsデバイス (GaAsデバイス--応用技術と開発事例) -- (開発事例)
- C-2-16 独立バイアス形カスコード電力増幅器の三次相互変調ひずみ解析(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-5 独立バイアス形InGaP/GaAs HBTカスコード電力増幅回路の実験的検討(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- CS-3-2 高効率低ひずみ独立バイアス形カスコードGaN HEMT増幅器(CS-3.高効率電力増幅器およびこれを支えるデバイス技術,シンポジウムセッション)
- CS-3-2 高効率低ひずみ独立バイアス形カスコードGaN HEMT増幅器(CS-3.高効率電力増幅器およびこれを支えるデバイス技術,シンポジウムセッション)
- C-2-22 1.9GHz帯独立バイアス形InGaP/GaAs HBTカスコード電力増幅器MMIC(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス,一般セッション)
- InGaP/GaAs HBTを用いた独立バイアス形カスコード電力増幅器MMIC(学生研究発表会,学生研究会/マイクロ波一般)
- 高効率低ひずみ独立バイアス形カスコードGaN HEMT電力増幅器 (マイクロ波)
- C-2-38 四分の一波長インピーダンス変換回路を用いないドハティ増幅器の提案(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- 高効率低ひずみ独立バイアス形カスコードGaN HEMT電力増幅器
- 四分の一波長インピーダンス変換回路を用いない広帯域ドハティ電力増幅器の設計及び試作 (マイクロ波)
- InGaP/GaAs HBTを用いた高効率低ひずみ独立バイアス形カスコード電力増幅器 (マイクロ波)
- 一般化した出力結合条件による小型・広帯域マイクロ波ドハティ増幅器構成の提案 (マイクロ波)
- MHz帯高調波アクティブ・ロードプルシステムを用いたGHz帯高調波処理高効率電力増幅器の設計手法 (マイクロ波)
- 高効率低ひずみ独立バイアス形カスコードGaN HEMT電力増幅器
- C-2-23 1.9GHz帯高効率低ひずみ独立バイアス形InGaP/GaAs HBTカスコード電力増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-15 MHz帯高調波アクティブロードプル評価によるGHz帯高効率増幅器設計(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-24 四分の一波長インピーダンス変換回路を用いないGaN HEMTドハティ電力増幅器の設計及び試作(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-16 一般化した出力結合条件のマイクロ波ドハティ増幅器の提案(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- InGaP/GaAs HBTを用いた高効率低ひずみ独立バイアス形カスコード電力増幅器(学生研究発表会,学生研究会/マイクロ波一般)
- 四分の一波長インピーダンス変換回路を用いない広帯域ドハティ電力増幅器の設計及び試作(学生研究発表会,学生研究会/マイクロ波一般)
- 一般化した出力結合条件による小型・広帯域マイクロ波ドハティ増幅器構成の提案
- MHz帯高調波アクティブ・ロードプルシステムを用いたGHz帯高調波処理高効率電力増幅器の設計手法
- C-2-32 独立バイアス形12-2,0GHz帯GaAs pHEMTカスコード電力増幅器MMIC(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス))
- 独立バイアス形1.2-2.0GHz帯GaAs pHEMTカスコード電力増幅器MMIC
- C-2-28 λ/4インバータを用いない小型・広帯域並列負荷型GaN HEMTドハティ電力増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス))
- C-2-18 λ/4インバータを用いない直列型C帯GaAs pHEMT MMICドハティ増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-23 2.0-2.8GHz帯高効率独立バイアス形GaAs pHEMTカスコード電力増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)