高効率低ひずみ独立バイアス形カスコードGaN HEMT電力増幅器
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概要
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微細化が進むトランジスタ技術の高周波高出力化・広帯域化のためにトランジスタのカスコード回路が用いられている.著者らはトランジスタの接続点にバイアス回路を設けて各々のトランジスタの動作点を独立に設定して設計の自由度を上げることにより特性の改善を図る手法を提案している.本報告では,GaN HEMTを用いて実際に1.9GHz帯電力増幅器を集中定数素子を用いて設計製作して評価を行い良好な効率及びひずみ特性を実現したのでその結果を報告する.
- 2011-11-17
著者
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