自動バイアス制御ダイオードリニアライザを用いたF級GaN HEMT電力増幅器のひずみ改善

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概要

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• 2010-03-26

著者

• 本城 和彦

  電気通信大学

• 高山 洋一郎

  電気通信大学

• 石川 亮

  電気通信大学

• 本城 和彦

  (株)ワイケーシー

• 安藤 晃洋

  電気通信大学

• 吉田 剛

  電気通信大学

• 安藤 晃洋

  電通大

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