吉田 剛 | 電気通信大学
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概要
関連著者
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吉田 剛
電気通信大学
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本城 和彦
電気通信大学
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石川 亮
電気通信大学
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本城 和彦
(株)ワイケーシー
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高山 洋一郎
電気通信大学
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安藤 晃洋
電気通信大学
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安藤 晃洋
電通大
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本城 和彦
電気通信大学先端ワイヤレスコミュニケーション研究センター
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鄭 聡
電気通信大学
著作論文
- ダイオードリニアライザによる高効率F級GaN HEMT電力増幅器のひずみ補償(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- C-2-21 ダイオードリニアライザによる高効率F級GaN HEMT電力増幅器のひずみ補償(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- 自動バイアス制御ダイオードリニアライザを用いたF級GaN HEMT電力増幅器のひずみ改善
- パッケージ内蔵型高調波処理回路及びこれを用いたマイクロ波逆F級GaN HEMT増幅回路(能動回路,マイクロ波論文(大学発))
- C-2-35 自動バイアス制御型ダイオードリニアライザによるF級GaN HEMT電力増幅器のひずみ補償(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-32 マイクロ波内部高調波処理回路を備えた高出力GaN HEMT(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- パッケージ内蔵型高調波処理回路及びこれを用いたマイクロ波逆F級GaN HEMT増幅回路 (マイクロ波論文(大学発)特集)
- C-2-31 バイアス独立制御型2ダイオードリニアライザによるF級GaN HEMT電力増幅器のひずみ補償(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- ダイオードリニアライザによる高効率F級GaN HEMT電力増幅器のひずみ補償(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- C-2-27 1.9GHz帯GaNHEMT F級増幅器の試作(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
- C-2-18 λ/4インバータを用いない直列型C帯GaAs pHEMT MMICドハティ増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)