直列接続負荷型GaN HEMTドハティ電力増幅器のひずみ低減手法の提案(一般及び学生研究会,学生研究会/一般)
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概要
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広いダイナミックレンジで高効率動作が期待出来るマイクロ波電力増幅器としてドハティ増幅器が注目されている.ドハティ増幅器は並列接続負荷形及び直列接続負荷形の2種類の構成がドハティにより提案されているが,我々はバランを用いたマイクロ波帯直列接続負荷形ドハティ増幅器の設計手法を提案し,従来のプッシュプル増幅器に比ベバックオフ時効率を大幅に改善できることを示した.本稿では,広ダイナミックレンジでの高効判こ加え低ひずみ特性の実現を目指して,同増幅器のひずみ低減手法を提案し,実際に1.9GHz GaN HEMT直列接続負荷形ドハティ増幅器を設計試作して得られた特性について述べる.同増幅器は飽和出力電力31dBmにおいて付加電力効率(PAE)58%,入力バックオフ10dBで出力電力24dBm, PAE31%の良好な広ダイナミックレンジ高効率特性と,出力バックオフ14dB以上で,IMD3は-35dBc以下と良好なひずみ特性を実現できた.
- 2010-09-02
著者
-
本城 和彦
電気通信大学
-
本城 和彦
電気通信大学先端ワイヤレスコミュニケーション研究センター
-
河合 慧
電気通信大学
-
高山 洋一郎
電気通信大学
-
石川 亮
電気通信大学
-
本城 和彦
(株)ワイケーシー
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