集中定数素子高調波処理回路を用いたマイクロ波逆F級GaN HEMT増幅器
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概要
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集中定数素子により構成された高調波処理回路を用い,マイクロ波帯で動作する高効率逆F級AlGaN/GaN HEMT増幅器の試作を行った.先ず,フォスターの方法による二端子リアクタンス回路の零点および極の設定法を応用した逆F級増幅器用高調波処理回路を考案し,4次高調波まで処理された逆F級負荷回路を設計し,実際に受動チップ素子を用いて試作を行った.更に,この逆F級負荷回路をマイクロ波AlGaN/GaN HEMT増幅器に適用して逆F級増幅器を試作し,879MHzでドレイン効率78.3%,電力付加効率76.3%を得た.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-08-21
著者
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