C-2-32 独立バイアス形12-2,0GHz帯GaAs pHEMTカスコード電力増幅器MMIC(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス))

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 一般社団法人電子情報通信学会の論文
• 2013-03-05

著者

• 本城 和彦

  電気通信大学

• 高山 洋一郎

  電気通信大学

• 石川 亮

  電気通信大学

• 田崎 悟史

  電気通信大学

関連論文

• 直列接続負荷形GaN HEMTマイクロ波ドハティ電力増幅器の設計・試作
• MIMO用2周波アンテナの放射パターン直交性改善の基礎検討
• マイクロ波電力増幅器における熱メモリ効果3次相互変調ひずみの補償法の提案と実験的検証(マイクロ波信号発生と計測技術/一般)
• B-1-234 PBGを用いたMIMO用2周波アンテナのアイソレーション改善の基礎検討(B-1.アンテナ・伝播C(アンテナシステム),一般セッション)
• C-2-17 UWB用インパルス発生MMICおよび原信号復元回路(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-22 RC回路構成を用いた負の群遅延回路(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-23 負の群遅延回路を用いたUWB用HBT MMIC増幅器の群遅延補償(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-31 熱メモリ効果に起因したHBT電力増幅器IMD3の補償に関する実験的検証(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• CP-2-4 電磁界・半導体・熱・回路シミュレーションの統合化の現状と展望(CP-2.マイクロ波教育におけるシミュレータの可能性,パネルセッション,ソサイエティ企画)
• ダイオードリニアライザによる高効率F級GaN HEMT電力増幅器のひずみ補償(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• HBTの群遅延解析と負の群遅延回路を用いたその補償(通信デバイス・回路,通信技術の未来を拓く学生論文)
• C-2-21 ダイオードリニアライザによる高効率F級GaN HEMT電力増幅器のひずみ補償(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-26 4次までの高調波処理を施した集中定数化GaN HEMT逆F級増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• GaN HEMTを用いた5.8GHz帯F級増幅器の設計・試作
• 集中定数素子高調波処理回路を用いたマイクロ波逆F級GaN HEMT増幅器
• FDTD電磁界・半導体デバイス統合解析によるミリ波表面波モード線路増幅モジュールの実動作解析
• B-1-158 位相線路付き直交ダイポール型平面アンテナの広帯域特性(B-1. アンテナ・伝播B(アンテナ一般),一般セッション)
• B-1-149 シャントスパイラルインダクタを用いた最小のUWB用自己補対アンテナ(B-1. アンテナ・伝播B(アンテナ一般),一般セッション)
• C-2-112 Multi-Stage Inductively Coupled Combline Bandpass Filters Using Low Permittivity PCB for UWB Applications
• B-1-155 高誘電率基板を用いたUWB用自己補対アンテナの小型化(B-1.アンテナ・伝播B(アンテナ一般),一般講演)
• 高誘電率樹脂基板上に作製した小型自己補対アンテナの特性
• 対称な特性を持つWLPクリップ型インダクタ(マイクロ波一般/ミリ波技術,マイクロ波シミュレータ,ミリ波技術,一般)
• C-2-38 GaN HEMTを用いた5.8GHz帯F級高効率増幅器(C-2. マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-29 電磁界解析・半導体デバイス解析連動による能動モジュール実動作解析(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
• 電磁界・半導体共シミュレーションによる表面波モード線路増幅モジュールの動作解析
• C-2-41 低周波インピーダンス特性制御によるHBT電力増幅器の熱メモリ効果IMD3の非対称性補償(C-2. マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• B-1-152 超広帯域自己補対アレーアンテナの基礎検討(B-1. アンテナ・伝播B(アンテナ一般),一般セッション)
• B-1-82 2層ビア接続構造による単一動作モードメアンダラインアンテナの高効率化(B-1.アンテナ・伝播B(アンテナ一般),一般講演)
• B-1-92 低損失液晶ポリマー上に作製したループ付広帯域自己補対アンテナの特性(B-1.アンテナ・伝播B(アンテナ一般),一般講演)
• C-2-52 高誘電率多層プリント基板上に構成したブロードサイド結合小型コムライン帯域通過フィルタ(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般講演)
• B-1-119 急峻な遮断特性を有する差動フィルタを内蔵したUWB用自己補対アンテナ(B-1.アンテナ・伝播B(アンテナ一般),一般講演)
• ブロードサイド4結合線路を用いた超広帯域バンドパスフィルタ
• C-2-117 UWB用アクティブバラン付MMIC増幅器、フィルタ、自己補対アンテナの群遅延特性(C-2. マイクロ波C(応用装置), エレクトロニクス1)
• B-1-80 UWBアンテナ用平衡モード結合4線路バンドパスフィルタ(B-1. アンテナ・伝播B(アンテナ一般), 通信1)
• B-1-74 差動信号4結合線路デュープレクサを用いた2周波共用アンテナ(B-1. アンテナ・伝播B(アンテナ一般), 通信1)
• B-1-73 樹脂プリント基板上に作製したUWB用自己補対アンテナ小型化の基本検討(B-1.アンテナ・伝播B(アンテナ一般))
• B-1-71 平衡モードインピーダンス整合回路を備えた小型UWBアンテナの特性(B-1.アンテナ・伝播B(アンテナ一般))
• 低損失樹脂プリント基板を用いたUWB用擬似自己補対アンテナの特性
• C-2-28 UWB用超低消費電力InGaP/GaAs HBT MMIC増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
• C-2-2 UWB自己補対アンテナ駆動用アクティブバラン付超広帯域InGaP/GaAsHBT-MMIC増幅器(C-2. マイクロ波A(能動デバイス), エレクトロニクス1)
• アクティブバランを付加したUWB自己補対アンテナ駆動用InGaP/GaAs HBT増幅器(学生研究会, 学生研究会/マイクロ波シミュレータ/一般)
• 周波数選択型反射体に装荷したバラクタよるアンテナの放射パターン適応制御 (マイクロ波)
• 最適要素抽出法による高速・高密度半導体パッケージモデリング(パッケージの電気解析・CAD技術,次世代電子機器における先端実装技術と電磁波ノイズ低減技術論文)
• C-2-94 OSE法を用いた不連続部を有する高速・高密度半導体パッケージの簡易等価回路モデリング(C-2. マイクロ波B(受動デバイス), エレクトロニクス1)
• C-2-92 チップ・パッケージ・ボード統合設計におけるOSE法の提案(C-2. マイクロ波B(受動デバイス), エレクトロニクス1)
• F級増幅回路の3次相互変調ひずみの解析(マイクロ波シミュレータ/一般/学生会)
• C-2-42 多段RC熱等価回路のマルチセルHBT適用と相互変調ひずみ評価(C-2. マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• 直列接続負荷形マイクロ波ドハティ電力増幅器(マイクロ波,超伝導)
• C-2-96 右手/左手系複合回路を用いたUWB用群遅延補償MMICの実験的検証(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般講演)
• 自動バイアス制御ダイオードリニアライザを用いたF級GaN HEMT電力増幅器のひずみ改善
• 寄生成分を考慮した高次F級負荷回路設計法の提案とGaN HEMTへの適用
• BS-1-6 EBGの可変無損失負荷による指向性変化の基礎検討(BS-1.メタマテリアルアンテナ,シンポジウムセッション)
• C-2-34 直列接続型GaN HEMTドハティ電力増幅器のひずみ特性改善(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-18 UWB-IR用差動インパルス信号検出MMICの試作・評価(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• B-1-125 MIMO用差動2周波アンテナの放射パターン直交性改善の基礎検討(B-1.アンテナ・伝播A(電波伝搬,非通信利用),一般セッション)
• C-2-26 HBT分布増幅器の群遅延特性に関する解析(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• パッケージ内蔵型高調波処理回路及びこれを用いたマイクロ波逆F級GaN HEMT増幅回路(能動回路,マイクロ波論文(大学発))
• B-1-197 バラクタ装荷反射体によるモノポールアンテナの指向性適応制御(B-1.アンテナ・伝播B(アンテナ一般),一般セッション)
• C-2-30 寄生成分補償された5.8GHz帯F級高効率増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-56 マイクロ波受動素子内蔵樹脂プリント基板の高周波温度特性及び信頼性
• C-2-67 マイクロ波帯受動素子内蔵樹脂プリント基板
• C-2-27 低雑音特性を考慮したUWB用HBT MMIC増幅器の群遅延補償(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• 右手/左手系複合回路を用いたUWB用MMIC増幅器の群遅延補償(学生研究会,マイクロ波シミュレータ,一般)
• C-2-87 右手/左手系複合回路を利用したUWB用デバイス群遅延補償の一検討(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般講演)
• C-2-6 InGaP/GaAs HBT F級増幅器の処理高調波次数と効率の関係(C-2. マイクロ波A(能動デバイス), エレクトロニクス1)
• C-2-38 1.9GHz帯F級HBT増幅回路の実験的検討(C-2.マイクロ波A(能動デバイス))
• SC-2-3 マイクロ波 F 級増幅器の 3 次相互変調歪み発生メカニズムの検討
• C-2-35 自動バイアス制御型ダイオードリニアライザによるF級GaN HEMT電力増幅器のひずみ補償(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-32 マイクロ波内部高調波処理回路を備えた高出力GaN HEMT(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• マイクロ波論文(大学発)特集の発行にあたって(マイクロ波論文(大学発))
• 周波数選択型反射体に装荷したバラクタよるアンテナの放射パターン適応制御(一般及び学生研究会,学生研究会/一般)
• 直列接続負荷型GaN HEMTドハティ電力増幅器のひずみ低減手法の提案(一般及び学生研究会,学生研究会/一般)
• C-2-31 バイアス独立制御型2ダイオードリニアライザによるF級GaN HEMT電力増幅器のひずみ補償(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• ダイオードリニアライザによる高効率F級GaN HEMT電力増幅器のひずみ補償(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• C-2-27 1.9GHz帯GaNHEMT F級増幅器の試作(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
• UWB用広帯域増幅器の群遅延特性と負の群遅延回路を用いたその補償
• 高f_マイクロ波トランジスタを用いた高調波処理型超高効率F級増幅回路
• C-2-19 基本波リアクタンス補償型F級負荷回路の回路素子数削減
• 2001年IEEE MTT-S国際マイクロ波シンポジウム出席報告
• 2001年IEEE MTT-S国際マイクロ波シンポジウム出席報告
• PC-1-5 大学におけるマイクロ波半導体回路教育 : プロセス・デバイス・回路・システム統合化の視点からのアプローチ
• 電力増幅器における自己発熱現象およびそれに伴う歪み発生の多段RC熱等価回路によるモデル化(学生研究会,マイクロ波シミュレータ,一般)
• C-2-15 多段CR熱等価回路による高出力HBTの相互変調歪解析(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
• B-1-167 給電点切り替え型非対称給電ダイポールアンテナによる指向性制御(B-1.アンテナ・伝播B(アンテナ一般),一般セッション)
• C-2-95 OSE法における高密度配線基板内のビア・線路間容量が伝送特性へ与える影響(C-2. マイクロ波B(受動デバイス), エレクトロニクス1)
• C-2-93 高密度実装におけるOSE法簡易高精度モデリングおよびその応用(C-2. マイクロ波B(受動デバイス), エレクトロニクス1)
• B-1-132 不平衡型2周波アンテナ技術を用いた携帯電話向けアンテナの基礎検討(B-1.アンテナ・伝播B(アンテナ一般),一般セッション)
• B-1-64 トラップコイルを用いたデュアルバンドフィルムアンテナの検討(B-1.アンテナ・伝播B(アンテナ一般),一般セッション)
• 1. Jisso技術を電気的にとらえる(日本のモノづくりを支えるJisso技術)
• LCはしご形回路を基本セグメントとした高密度多層配線基板内での高周波伝送特性の表現手法(電子部品)
• 樹脂プリント基板を用いた可変帯域フィルタの基本検討(マイクロ波シミュレータ/一般/学生会)
• C-2-87 樹脂プリント基板を用いた可変帯域フィルタの基本検討
• ワイヤレスデバイス・回路・モジュール技術 : 特集号によせて
• C-2-59 入出力端子整合状態におけるインダクタのインダクタンス値評価法(C-2. マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
• 対称な特性を持つWLPクリップ型インダクタ
• C-2-37 WLPクリップ型インダクタのマイクロ波特性の対称化(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般講演)
• C-2-36 対称な特性を有するWLPクリップ型インダクタとQ値の評価法(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般講演)
• C-9-3 FED, Thin-CRTの針状スペーサによる画質への影響について(C-9. 電子ディスプレイ, エレクトロニクス2)
• ウエハレベルCSP技術による銅配線,絶縁層を利用した低損失インダクタの実現
• C-2-18 5.8GHz小形F級負荷回路付加GaN HEMTの評価(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク