窒化物結晶における構造欠陥 : TEMによる解析の実践(<特集>窒化物半導体結晶中の欠陥)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
機能性材料の特性は微細構造に大きく影響を受ける.したがって,材料の微細構造評価・解析はきわめて重要である.本報告では,窒化物結晶の微細構造において特に重要な転位と結晶極性を取上げ,これらを解析する場合に必要となる欠陥と透過電子顕微鏡(TEM)の基礎と実践的な解析手法を説明する.とくに,転位のバーガスベクトルと結晶極性のTEM解析における「向き」の問題に注目して,混乱がおき易い電顕像と回折パターンの回転方向について詳細に説明した.
著者
関連論文
- レーザーアブレーション法による超ナノ微結晶ダイヤモンド膜の創製とその成長プロセス
- 特集「電子顕微鏡法による材料開発のための微細構造研究最前線(4)」特集企画にあたって
- チオフェンを添加した in-situ MgB_2 線材のTEM観察
- アルミニウム/窒化アルミニウム界面の冷熱サイクル試験による破壊機構
- 高密度MgB_2バルクのTEM観察
- 人工ピンとしてナノオーダーNi層を挿入したMgB_2薄膜のJ_c-B特性
- Tb改質Nd-Fe-B系磁石の微細構造解析
- MgB_2超伝導膜に挿入したNi極薄層のピンニング効果
- ナノオーダーNi層を導入したMgB_2薄膜の微細組織観察
- 成膜時に酸素を導入したMgB_2薄膜の微細組織
- ナノ積層構造によるMgB_2薄膜へのピンニングセンターの導入
- SiCナノ粒子を添加したMgB_2超伝導線材のTEMによる微細構造解析
- 低加速電圧SEMとTEMによる金属誘起横方向結晶化SiGe薄膜の観察
- YSZ/Hastelloy 基板上に蒸着したMgB_2薄膜の微細組織
- 金属誘起固相成長法による非晶質Si_Ge_薄膜の結晶化機構
- YSZ/Hastelloy 基板上に作製したMgB_2膜の微細組織
- Si(001)基板にエピ成長させたβ-FeSi_2スパッタ膜
- 研磨AlN基板を用いたAlGaNの成長と評価(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 研磨AlN基板を用いたAlGaNの成長と評価(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 研磨AlN基板を用いたAlGaNの成長と評価(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 凹凸AlN基板を用いた低転位密度AlGaNのMOVPE成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 凹凸AlN基板を用いた低転位密度AlGaNのMOVPE成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 凹凸AlN基板を用いた低転位密度AlGaNのMOVPE成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- アンチサーファクタント処理を施したGaN薄膜の貫通転位
- 窒化物結晶における構造欠陥 : TEMによる解析の実践(窒化物半導体結晶中の欠陥)
- 周期溝加工基板上への減圧HVPE法によるAlN成長と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 周期溝加工基板上への減圧HVPE法によるAlN成長と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 周期溝加工基板上への減圧HVPE法によるAlN成長と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 特集にあたって
- 原子間ポテンシャルを用いた InGaAs/ (110) InP 混晶中に出現する CuAu-I 型規則構造形成機構の理論的解析
- 固体原料を用いたAlN溶液成長法に関する研究(次世代素子のための窒化物結晶成長新機軸)
- エッチピット法によるAlNエピタキシャル膜中の貫通転位の評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- エッチピット法によるAlNエピタキシャル膜中の貫通転位の評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- エッチピット法によるAlNエピタキシャル膜中の貫通転位の評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- サファイア基板上へのAlNのMOVPE成長における中間層制御(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- サファイア基板上へのAlNのMOVPE成長における中間層制御(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- サファイア基板上へのAlNのMOVPE成長における中間層制御(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 組織制御に向けた高性能Nd-Fe-B系磁石材料のナノ構造解析