垂直磁気異方性Coフェライト膜の低温作製(<100℃)

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概要

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垂直磁気記録媒体への応用を目指して、スピンスプレー・フェライトめっき法によって基板温度90℃で、厚さ25〜200nmの垂直磁気異方性を有するCo_xFe_<3-x>O_4膜の作製に成功した。膜面垂直方向の保磁力H_<c⊥>はx=0.5で最大値をとり、膜厚が25nmでも2000Oeを越えていた。酸化液中のNaNO_2濃度を最適化することにより、H_<c⊥>を低下させることなく膜面内方向の保磁力H_<c//>を300Oeまで低減することができた。メスバウアー効果測定から膜は優れた垂直磁気異方性を有することが明らかとなった。また、保磁力の角度依存性からCoフェライトめっき膜の磁化反転機構はCo-Crスパッタ膜と同様、磁化回転によるものであることがわかった。
1997-11-21

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