「バスタフェリックス_[○!R]」 : フェライトめっき薄膜を用いたGHz伝導ノイズ抑制体
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概要
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携帯電子機器の急速な高速度化・小型化とそれに伴う電子回路の高集積化により,半導体部品等から発生する高周波伝導ノイズを,ノイズ発生源である半導体素子内部あるいはその近傍で抑制する技術が望まれています.我々はフェライトめっき法により得られるNiZnフェライト薄膜を用いたGHz伝導ノイズ抑制体(バスタフェリックス_[○!R])を開発しました.Fig.1に示すように,従来の金属粉とポリマーからなる複合磁性シート(厚さ50μm)に比べ約1/15の厚さ(31μm)で同等以上の性能を発揮するので,携帯電話,ノートパソコン、デジタルカメラのようなデジタル電子機器の輻射ノイズ対策、及び内部干渉・誤動作の防止に最適です.
- 社団法人日本磁気学会の論文
- 2004-04-01
著者
-
近藤 幸一
NECトーキン株式会社
-
吉田 栄吉
NECトーキン株式会社
-
阿部 正紀
東工大
-
阿部 正紀
東京工業大学工学部
-
千葉 龍矢
NECトーキン
-
松下 伸広
東京工業大学理工学研究科
-
近藤 幸一
NEC トーキン(株)
-
吉田 栄吉
NEC トーキン(株)
-
阿部 正紀
東京工業大学 応用セラミックス研究所
-
小野 裕司
Necトーキン株式会社 研究開発本部
-
小野 裕司
Necトーキン株式会社ファンクショナルデバイス事業本部emcデバイス事業部技術部
-
小野 裕司
Necトーキン
-
松下 伸広
東京工大 応用セラミックス研
-
松下 伸広
東京工業大学 応用セラミックス研究所
-
吉田 栄吉
Necトーキン(株)研究開発本部
-
吉田 栄吉
Necトーキン株式会社ファンクショナルデバイス事業本部emcデバイス事業部
-
松下 伸広
東京工業大学
-
吉田 栄吉
Necトーキン
-
近藤 幸一
Necトーキン
-
阿部 正紀
東京工業大学
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