プラスマ窒化によるGaAs絶縁膜形成
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概要
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GaAsの表面は多量の表面準位が存在し、表面フェルミ準位のピンニング現象を起している。そのだめ、GaAsのMIS(金属-絶縁膜-半導体)構造においてはSiの場合のように反転層、蓄積層が形成されないとされている。現在GaAs素子はショットキーゲートFET(MESFET)が用いられているが、MISFETがが不可能なだめ、SiのCMOSのような低消費電力の回路が組めない。まだHEMT,HBTや半導体レーザの表面バッシヴェーション膜も重要であるが、なかなか良好な絶縁膜がないのが現状である。とくに半導体レーザではその信頼性がパッシヴェーション膜によって左右される場合がある。含回、GaAsをヘリコン波を励起したN2とArプラズマにより表面処理(窒化まだは酸窒化)を行った結果、比較的に良好と思われる絶縁膜(およびMIS構造)が得られたので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-09-18
著者
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