生駒 英明 | 東京理科大学
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概要
関連著者
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生駒 英明
東京理科大学
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金澤 啓介
東京理科大学大学院理工学研究科電気工学専攻
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和田 聡
東京理科大学理工学部電気工学科
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原 章雄
東京理科大学理工学部電気工学科
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黒田 展弘
東京理科大学
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今岡 伸郎
東京理科大学理工学部電気工学科
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森北 信也
東京理科大学大学院理工学研究科電気工学専攻
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東條 朋晶
東京理科大学大学院理工学研究科電気工学専攻
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立川 真之
東京理科大学理工学部電気工学科
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佃 龍明
東京理科大学理工学部電気工学科
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岡本 成昭
東京理科大学理工学部電気工学科
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笠原 文雄
東京理科大学理工学部電気工学科
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中村 隆一
東京理科大学理工学部電気工学科
著作論文
- V族元素(Sb、Bi)によるGaAsの表面安定化
- ED2000-107 磁界励起プラズマによるSi酸窒化膜のFowler-Nordheim電流注入及びストレス誘起リーク電流特性
- ED2000-101 InPに対するV族元素(Bi、Sb)のpassivation
- ED2000-93 Al/GaAsの磁界励起プラズマ窒化によるGaAsのプラズマ・ダメージレスGaN-passivation
- 化合物半導体のパッシヴエ-ション技術
- 磁界励起プラズマによるSi酸窒化膜のFowler-Nordheim電流ストレス耐性
- 磁界励起プラズマによるSiの低温酸化
- 磁界励起プラズマによるGaAs表面安定化 : プラズマ電力依存性
- 磁界励起プラズマによるGaAs絶縁膜形成
- ヘリコン波励起プラズマによるGaAs表面窒化
- プラスマ窒化によるGaAs絶縁膜形成