ED2000-93 Al/GaAsの磁界励起プラズマ窒化によるGaAsのプラズマ・ダメージレスGaN-passivation
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概要
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GaAsのプラズマ・レスなGaNpassivationを達成するためにAl/GaAsの磁界励起プラズマ窒化を行った。Alは完全にAl_2O_3とAlNに変化していたが、その下に均一にGaNが形成されていた。その後Al合金膜を剥離し、電気的特性を評価した結果、Schottky diodeの逆方向電流はGaAsを直接窒化した場合よりも大幅に減少し、また長時間の大気中放置の後にもI-V特性はほとんど変化しないなど、良好なpassivation効果が観測された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-07-20
著者
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