磁界励起プラズマによるSi酸窒化膜のFowler-Nordheim電流ストレス耐性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
Si酸窒化膜はホットキャリア注入耐性が高いことで注目されている。我々はO_2-N_2-Ar混合磁界励起プラズマを用いてSi基板を直接酸窒化して酸窒化膜を形成し、直流Fowler-Nordheimトンネル電流ストレス(+-10V)によるフラットバンド電圧V_FB及び、界面準位密度の変動を測定した。酸素リッチの酸窒化膜で3%フォーミングガスアニールにより300℃でアニールした後、窒素で700℃でアニールした試料は熱酸化法によつて形成された試料は、正電圧及び負電圧ストレス前後におけるV_FB、界面準位密度の変動はともに小さいことがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-04-23
著者
関連論文
- V族元素(Sb、Bi)によるGaAsの表面安定化
- ED2000-107 磁界励起プラズマによるSi酸窒化膜のFowler-Nordheim電流注入及びストレス誘起リーク電流特性
- ED2000-101 InPに対するV族元素(Bi、Sb)のpassivation
- ED2000-93 Al/GaAsの磁界励起プラズマ窒化によるGaAsのプラズマ・ダメージレスGaN-passivation
- 化合物半導体のパッシヴエ-ション技術
- 磁界励起プラズマによるSi酸窒化膜のFowler-Nordheim電流ストレス耐性
- 磁界励起プラズマによるSiの低温酸化
- 磁界励起プラズマによるGaAs表面安定化 : プラズマ電力依存性
- 磁界励起プラズマによるGaAs絶縁膜形成
- ヘリコン波励起プラズマによるGaAs表面窒化
- プラスマ窒化によるGaAs絶縁膜形成