磁界励起プラズマによるSiの低温酸化
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概要
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低温・低圧で高密度のへリコン波励起O_2-ArプラズマによるSi(100)基板の直接酸化により、室温近辺で良好なSiO_2膜の形成を試みた。容量-電圧(C-V)特性および電流・電圧(I-V)特性などを測定した。膜生成後フォーミングガス・アニールにより界面準位密度は1.5×1O^<10>eV^-1cm_-2と熱酸化膜と同程度が得られた。その他の電気的特性についても論ずる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-04-23
著者
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