ED2000-101 InPに対するV族元素(Bi、Sb)のpassivation
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概要
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n-InPに対するV族元素(Bi、Sb)のpassivation効果を調べ、これらの膜厚が適当(4-6nm)なときSchottky diodeの逆方向電流の低減、障壁高さの増大などの著しいpassivation効果が観測された。さらにBi/InP、Sb/InPを磁界励起プラズマにより酸化させると、Bi_2O_3/InP、Sb_2O_3/InP構造が均一に得られ、比較的良好なC-V特性が得られた。また、forming gas annealingなどのこれらの特性に対する影響などについても述べる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-07-21
著者
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