磁界励起プラズマによるGaAs表面安定化 : プラズマ電力依存性
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概要
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低温・低圧で高密度の磁界励起N_2+Arプラズマを用いて、短時間プラズマ照射を行うことで、n-GaAs(100)基板上に薄い窒化保護膜を形成し、それについてのXPS解析、電気的特性などについての調査をした。今回、基板へのダメージを減らすために、プラズマ電力を弱め、よりマイルドなプラズマ処理を行った。プラズマ電力に依存するダメージの発生とアニール温度と時間を変化させたときのダメージの回復についての実験を行った。更に、それらについての熱耐性及び経時特性についても調べた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-04-22
著者
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