ヘリコン波励起プラズマによるGaAs表面窒化
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
低温・低圧で高密度のへリコン波励起N_2+Arプラズマを用いてGaAsを窒化あるいは酸窒化させ良質な絶縁膜の形成を試みた. O_2プラズマを用いて形成した酸化膜よりも良好な容量-電圧特性が得られた. PL測定の結果からN_2+ArプラズマによりGaAs/絶縁膜の界面特性が改善されることが分かった. またXPS測定の結果から形成された絶縁膜の主成分はGa窒化物(GaN)あるいはGa酸窒化物(GaN_xO_y)であることが分かり, 特性に悪影響を及ぼすAsや自然酸化物の量は少なかった. これらの結果からN_2+ArプラズマはGaAsの酸化を強く抑えることも分かった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-07-14
著者
関連論文
- V族元素(Sb、Bi)によるGaAsの表面安定化
- ED2000-107 磁界励起プラズマによるSi酸窒化膜のFowler-Nordheim電流注入及びストレス誘起リーク電流特性
- ED2000-101 InPに対するV族元素(Bi、Sb)のpassivation
- ED2000-93 Al/GaAsの磁界励起プラズマ窒化によるGaAsのプラズマ・ダメージレスGaN-passivation
- 化合物半導体のパッシヴエ-ション技術
- 磁界励起プラズマによるSi酸窒化膜のFowler-Nordheim電流ストレス耐性
- 磁界励起プラズマによるSiの低温酸化
- 磁界励起プラズマによるGaAs表面安定化 : プラズマ電力依存性
- 磁界励起プラズマによるGaAs絶縁膜形成
- ヘリコン波励起プラズマによるGaAs表面窒化
- プラスマ窒化によるGaAs絶縁膜形成