磁界励起プラズマによるGaAs絶縁膜形成

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概要

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低温・低圧で高密度のヘリコン波励起N_2+Arプラズマを用い、短時間プラズマ照射を行うことでGaAsウェーハを窒化させ、薄い界面層を形成しXPSによる化学組成解析、熱耐性及び経時特性を調査した。プラズマ処理を施していないショットキー接合は約250℃のポストアニール処理でその障壁高が著しく減少しているが、プラズマ処理を施した試料は約500℃付近においても障壁高の減少は見られなかった。また、3ヶ月大気に放置した後に再び測定を行ったがその特性はほとんど変化していなかった。これらの結果から窒素プラズマ処理は表面パシベーション膜として有効であると考えられる。
社団法人電子情報通信学会の論文
1998-07-21

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