ED2000-107 磁界励起プラズマによるSi酸窒化膜のFowler-Nordheim電流注入及びストレス誘起リーク電流特性
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概要
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p-Si(100)基板の磁界励起プラズマ酸窒化により、Si酸窒化膜を形成し、Fowler-Nordheim電流注入によるしきい値電圧の変動とそのストレス周波数依存性及びストレス誘起リーク電流(SILC)を測定した。しきい値電圧変動の挙動は表面プラズモン、膜中アバランシェ及び注入全電荷量の効果で説明される。また極薄酸化膜(<5nm)で観測される4段階TDDB(A-SILC, B-SILC)がそれほど薄くない(12nm)酸窒化膜で観測され、酸窒化膜が熱酸化膜よりはるかにTDDB耐性が大きいことがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-07-21
著者
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