V族元素(Sb、Bi)によるGaAsの表面安定化
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概要
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GaAs(100)面に対するSb、Biの表面安定化効果を調べた。その結果、Sb、Biの膜厚が適当なとき、低い逆方向リーク電流、高いSchottky障壁など、良好なI-V特性が得られた。XPS、SIMSなどのデータより、Sb、BiによるGaAs表面の終端化、表面の自然酸化膜の除去及びAu(電極)のGaAs内拡散の抑止が主要な表面安定化の機構であると考えられる。またSb/GaAsのプラズマ窒素処理により、均一なGaN/GaAs層が形成されることが分かった。その機構についても述べる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-05-30
著者
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