LC移相器を用いた2V動作可能な1.9GHz Siダウンミキサ回路
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
本報告ではギルバートセルの下段エミッタ差動対の代わりにLC移相器を用いることによって2V動作を可能にした1.9GHz帯のダウンミキサ回路について述べる。低電圧で動作するだけでなく、非線形なエミッタ差動対を線形な受動素子に置き換えたことにより低歪み特性を得る。fT=20GHzのnpnトランジスタを持つシリコンバイポーラプロセスを用いて実現した。試作した結果、電源電圧2Vで、変換利得7.0dB、3次インタセプトポイント-1.0dBmの良好な特性を得た。
- 1998-01-23
著者
-
佐藤 久恭
三菱電機(株)システムLSI開発研究所
-
佐々木 なぎさ
三菱電機(株)システムLSI開発研究所
-
佐藤 久恭
株式会社ルネサステクノロジ
-
佐々木 なぎさ
三菱電機株式会社
-
三木 隆博
三菱電機株式会社
-
三木 隆博
三菱電機(株)システムLSI開発研究所
-
小紫 浩史
三菱電機(株) ULSI開発研究所
-
小紫 浩史
システムlsi事業化推進センター:三菱電機株式会社
-
佐藤 久恭
三菱電機システムlsi事業化推進センター
-
小紫 浩史
東京理科大
関連論文
- 高抵抗基板とハイブリッドトレンチ分離を用いた0.18μmSOI技術のRF/アナログ混載への応用について
- PHS用中間周波数処理LSI ( アナログ・アナデジLSIおよび一般)
- オンチップインダクタを用いた低歪みダウンミキサ回路
- 電圧・温度補償されたAPD-ECL回路及びECLとCMOSの消費電力比較方法の提案
- 回路定数最適化システムを用いた11bit 160MS/s 1.35V 10mW D/Aコンバータ
- 広帯域BPSK CMOS復調回路(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- デュアルバンドCMOS RFパワーアンプ回路の検討(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-2-27 0.35μm BiCMOSプロセスを用いた2GHz帯整合回路一体形MOSFET低雑音増幅器
- アクティブボディ効果を利用した低電源電圧動作可能なSOI CMOS低雑音増幅器
- C-2-36 0.35μmBiCMOSプロセスを用いて作成した低損失L帯Si-MMIC5ビット可変減衰器
- LC移相器を用いた2V動作可能な1.9GHz Siダウンミキサ回路
- 19GHz Si低歪みダウンミキサ回路
- 3.0Gb/s,272mW,8:1マルチプレクサ/4.1Gb/s,388mW,1:8デマルチプレクサ
- 電圧補償された低電圧動作バイポーラシリーズゲート回路
- 90nmCMOSプロセスを用いた6bit3.5GS/s0.9V90mWフラッシュA/Dコンバータ(アナログ・デジアナ・センサ,通信用LSI)
- レファレンスフィードフォワードアーキテクチャを用いた10-bit 50MS/s 300mW A/Dコンバータ ( アナログ・アナデジLSIおよび一般)
- 遅延駆動手法を用いた350MS/s 3.3V 8bit CMOS D/Aコンバータ
- システムVLSI搭載用10bit, 20MS/s, 3V単一電源CMOS A/Dコンバータ
- 差動電圧/ディジタル変換回路を用いた10-bit 50MS/s 800mW A/Dコンバータ
- C-10-8 電力増幅器制御用カレントミラー型バイアス回路
- C-10-17 5GHz帯HBT-MMIC低雑音ドライバとスイッチの試作
- PHS用中間周波数処理LSI (特集"半導体") -- (ASIC)
- SOI CMOSプロセスを用いて作成したL帯整合回路一体形Si-MMIC低雑音増幅器
- SOI CMOSプロセスを用いて作成したL帯Si-MMIC整合回路一体形低雑音増幅器
- C-2-33 CMOSプロセスによるスパイラルインダクタの特性
- C-10-1 1.8V 動作 1.2/2.4GHzCMOS 周波数逓倍器の検討
- CMOS高周波アナログ技術--Bluetoothトランシーバー (特集 IT社会に貢献する半導体)
- 1.8V動作Bluetooth用RF-CMOSトランシーバ
- A-1-14 低電圧動作可能なチャネル選択フィルタを用いて実現した1.8V動作RFCMOSトランシーバLSI
- 2.4GHz帯1.8V動作のCMOS RFフロントエンドICの試作
- C-12-25 CMOSインバータ遅延回路を用いた低消費電流GFSK復調回路
- C-10-18 0.18μmメッシュアレイMOSFETの高周波特性に関する検討
- 2.4GHz帯Si-CMOS MMICフロントエンド (「VLSI一般」)
- 広帯域復調回路を用いたBluetooth用24GHz帯RFトランシーバLSI (「VLSI一般」)
- C-12-28 入力周波数レンジを改善した低IF方式用GFSK復調回路
- C-10-7 2.4GHz/5.2GHz帯Si-CMOS MMIC低雑音増幅器
- C-10-11 2.4GHz帯 Si-CMOSフロントエンドMMICの試作
- C-10-2 Si-MOSFETの小信号等価回路パラメータ抽出法に関する検討
- LC移相器を用いた2V動作可能な1.9GHz Siダウンミキサ回路
- パネル討論 : アナログ, アナ・ディジLSIの将来像
- LC移相器を用いた2V動作可能な1.9GHz Siダウンミキサ回路
- 広帯域BPSK CMOS復調回路(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- デュアルバンドCMOS RFパワーアンプ回路の検討(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- マルチモード通信用トランシーバIC向け低雑音・省面積受信フィルタの開発(ディジタル・情報家電,放送用,ゲーム機用システムLSI,回路技術(一般,超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))
- 広ダイナミックレンジをもつ可変利得増幅器を用いたW-CDMA用1チップIF送受信IC
- 広ダイナミックレンジをもつ可変利得増幅器を用いたW-CDMA用1チップには送受信IC
- B-17-5 クロックジッタを考慮したデシメーション型サンプリングフィルタの特性(B-17. ソフトウェア無線,一般セッション)
- デシメーション型サンプリングフィルタの小型化の検討(技術展示,チュートリアル講演,無線信号処理実装,一般)
- C-2-77 デシメーション型サンプリングフィルタの小型化の検討(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般講演)
- 無線通信用1.2/2.4GHz帯及び2.6/5.2GHz帯CMOS周波数逓倍器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 無線通信用1.2/2.4GHz帯及び2.6/5.2GHz帯CMOS周波数逓倍器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-10-7 5GHz帯CMOSフロントエンドMMIC
- アナログIP開発の課題 : 設計環境を中心として
- 1.9GHz帯整合回路一体形Si-MMIC受信フロントエンド
- CMOSアナログ方式によるGRBF(一般化円形基底関数)ネットワーク回路
- CMOSアナログGRBFネットワーク回路の一構成法
- データコンパータ技術動向 : 2011年7月(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)