デュアルバンドCMOS RFパワーアンプ回路の検討(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
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概要
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無線通信用トランシーバのキーコンポーネントの1つであるパワーアンプについて、CMOS回路化、デュアルバンド動作化の検討を行った。低電圧CMOS回路によるRFパワーアンプ回路設計では、回路の低損失化による大電流化設計がキーとなること、サブミクロンMOSトランジスタの速度飽和特性は、電源電圧低下にともなう出力電力、電力効率の低下を抑えるよう有利に作用することを解析的に明らかにした。また、LC共振インピーダンスを利用したデュアルバンド動作回路を明らかにし、0.13μm CMOSプロセス技術によるICの設計・試作評価を実施した結果、電源電圧1.5Vで5dBm以上の出力が可能な、1.0GHzと2.4GHz帯でのデュアルバンド増幅動作を確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-01-09
著者
-
佐藤 久恭
株式会社ルネサステクノロジ
-
佐藤 久恭
株式会社ルネサステクノロジアナログ技術統括部
-
石原 昇
群馬大学大学院工学研究科
-
菊池 潤
群馬大学大学院工学研究科
-
佐藤 久恭
(株)ルネサステクノロジ
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