速度飽和特性を利用したVddゲートバイアスRF-CMOS増幅回路(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
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概要
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MOS FETでは、ゲート電圧とドレイン電圧が高い場合にチャネルを走行するキャリアの速度が飽和し、FETの相互コンダクタンスがゲート電圧、ドレイン電圧に依存せず一定となる。本報告では、この速度飽和動作領域を利用したRF-CMOS増幅回路の設計法について述べる。MOS FETのゲートバイアス電圧を電源電圧に設定しFETを速度飽和動作とすることにより、簡単な回路構成で電源電圧変動耐性に強い回路を構成できることを明らかにし、0.18μmCMOSプロセスにより5GHz RF-CMOS増幅回路ICの試作を行なった結果、ピーク利得(S21)13.5dBで、1.2〜2.9Vの広い電源電圧変化に対して利得変動が1dB以下の良好な特性の実現に成功した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-01-10
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