三次元電磁界シミュレーションの誤差要因と評価に関する考察(LSIシステムの実装・モジュール化技術及びテスト技術,一般)
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概要
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本報告では,単純な構造の配線を持つ基板に対し,測定とFDTD法による解析を行い,Sパラメータの比較を行い,さらにFDTD法を用いた解析の精度に関して検討を行う。配線のSパラメータの比較において,セルサイズに起因する誤差は,モデル化された配線の特性インピーダンスの誤差と言い換えることができる.そこで,FDTD法と同様に格子状のセルが用いられるFDMによって特性インピーダンスの値を見積もることにより,必要とする精度に対する最適なセルサイズの決定に関する検討を行う.さらに,特性インピーダンスの補正を用いた,効率的な配線の解析手法について述べる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-01-30
著者
-
浅井 秀樹
静岡大学
-
渡邉 貴之
静岡県立大学 経営情報学部
-
渡邉 貴之
静岡県立大学経営情報学研究科
-
久保田 英正
シャープ株式会社生産技術開発推進本部設計システム開発センター設計技術開発室
-
荒木 健次
ソニー株式会社設計技術センター技術開発室
-
久保田 英正
静岡大学工学部システム工学科
-
荒木 健次
ソニー(株)
-
渡邊 貴之
静岡県立大学
-
渡邊 貴之
静岡県大 大学院経営情報学研究科
-
久保田 英正
静岡大学 工学部 システム工学科
-
渡邊 貴之
静岡県立大学経営情報学部
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