赤外波長光源を用いたMgOドーププロトン交換LN光導波路の光損傷測定(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,集積光回路,半導体光導波路素子,PLC,ファイバ型デバイス,導波路解析,その他)
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概要
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MgOドーププロトン交換LN光導波路は、光損傷(フォトリフラクティブ効果)に比較的強いため、信頼性の大きいデバイス作製が可能であり、光情報処理分野等への期待が高まっている。これまで光損傷は可視光領域において問題視されていたが、通信波長(1550nm帯)用の光デバイスに用いられる光源のパワーの増大等から、赤外波長領域においても光損傷が問題になりつつある。我々はMgOドープしたLN結晶上にプロトン交換(PE)層を作製した試料、さらにこれをアニール処理した試料について、赤外波長レーザ(I550nm)を用いて、光損傷特性の実験的研究を行った。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-01-23
著者
-
藤井 陽一
日本大学理工学部電子工学科
-
大塚 由紀子
東京大学生産技術研究所
-
大井 孝紀
日本大学理工学部電子情報工学科
-
藤井 陽一
日本大学理学部
-
藤井 陽一
東大生産研
-
大井 孝紀
松下寿電子工業株式会社
-
Fujii Yoshikazu
Department Of Engineering Science Kyoto University
-
Fujii Yoshiko
Department Of Applied Physics Faculty Of Science Okayama University Of Science
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