MgOドーププロトン交換LN光導波路の光損傷における温度及び電界特性の検討(次世代伝送用ファイバ,機能性光ファイバ,フォトニック結晶ファイバ,ファイバ非線形現象,一般)
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概要
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電気光学デバイスの性能は、導波路の特性に依存する。各々のデバイスに適する導波路を選択するためには、導波路の材料・作製過程の違いによる導波層の光学的・物理的特性の違いについて詳細な研究が必要である。ニオブ酸リチウム(LN)結晶を用いた導波路デバイスは光情報処理分野への応用が期待できるが、その際、レーザ光を入射する時の光損傷(フォトリフラクティブ効果)によるLN結晶の屈折率変化が問題となる。本研究では、短波長光源(Ar-ionレーザ)を用いて、光損傷特性の実験的研究を行った。この温度依存性による比較を行い、またプロトン交換導波路を電気光学デバイスに応用する際に問題となる電界依存性による比較を行い、この特性の実用的問題について検討した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-08-17
著者
-
藤井 陽一
日本大学理工学部電子工学科
-
Fujii Y
Institute For Solid State Physics The University Of Tokyo
-
大塚 由紀子
東京大学生産技術研究所
-
Fujii Y
Neutron Scottering Laboratory Issp University Of Tokyo
-
Fujii Y
Department Of Applied Physics Faculty Of Engineering Fukui University
-
藤井 陽一
日本大学 理工学部電子情報工学科
-
藤井 陽一
日本大学理学部
-
藤井 陽一
東大生産研
-
池田 明
日本大学理工学部電子情報工学科
-
Fujii Y
Neutron Facility Issp The University Of Tokyo
-
Fujii Yoshikazu
Department Of Engineering Science Kyoto University
-
Fujii Yoshiko
Department Of Applied Physics Faculty Of Science Okayama University Of Science
-
FUJII Yutaka
Department of Applied Physics, Faculty of Engineering, Fukui University
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