MgO ドーププロトン交換 LN 光導波路の光損傷における温度及び電界特性の検討
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概要
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MgOドーププロトン交換LN光導波路は、光損傷(フォトリフラクティブ効果)に比較的強いため、信頼性の大きいデバイス作製が可能であり、光情報処理分野等への期待が高まっている。本研究では、MgOドープしたLN結晶上にプロトン交換(PE)層を作製した試料、さらにこれをアニール処理した試料について、短波長光源であるAr-ionレーザ(488nm)を用いて光損傷特性の実験的研究を行った。この温度依存性による比較を行い、また光変調器などへの応用の際に問題となる電界依存性による比較を行い、この特性の実用的問題について検討した。
- 2005-02-25
著者
-
藤井 陽一
日本大学理工学部電子工学科
-
Fujii Y
Institute For Solid State Physics The University Of Tokyo
-
大塚 由紀子
東京大学生産技術研究所
-
大井 孝紀
日本大学理工学部電子情報工学科
-
Fujii Y
Neutron Scottering Laboratory Issp University Of Tokyo
-
Fujii Y
Department Of Applied Physics Faculty Of Engineering Fukui University
-
藤井 陽一
日本大学 理工学部電子情報工学科
-
藤井 陽一
日本大学理学部
-
藤井 陽一
東大生産研
-
池田 明
日本大学理工学部電子情報工学科
-
大井 孝紀
松下寿電子工業株式会社
-
中山 和彦
FDK株式会社
-
Fujii Y
Neutron Facility Issp The University Of Tokyo
-
Fujii Yoshikazu
Department Of Engineering Science Kyoto University
-
Fujii Yoshiko
Department Of Applied Physics Faculty Of Science Okayama University Of Science
-
FUJII Yutaka
Department of Applied Physics, Faculty of Engineering, Fukui University
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