MgOドーププロトン交換LN光導波路の光損傷における温度特性の検討(センサ,一般)
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概要
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プロトン交換LN光導波路は、光損傷(フォトリフラクティブ効果)に比較的強いため光情報処理分野等への応用が期待できる。 しかし、信頼性の大きいデバイスを作製するためには、MgOドープするなどの方法を用いて、さらに光損傷耐性を向上させる必要がある。我々はMgOドープしたLN結晶上にプロトン交換(PE)層を作製した試料、さらにこれをアニール処理した試料について、短波長光源であるAr-ionレーザ(488nm)を用いて、光損傷特性の実験的研究を行い温度の変化による比較を行った。その結果、光損傷特性が温度に依存することがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-05-23
著者
-
藤井 陽一
日本大学理工学部電子工学科
-
大塚 由紀子
東京大学生産技術研究所
-
大井 孝紀
日本大学理工学部電子情報工学科
-
藤井 陽一
日本大学理学部
-
藤井 陽一
東大生産研
-
大井 孝紀
松下寿電子工業株式会社
-
Fujii Yoshikazu
Department Of Engineering Science Kyoto University
-
Fujii Yoshiko
Department Of Applied Physics Faculty Of Science Okayama University Of Science
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