大振幅RF印加によるバイポーラトランジスタのDC特性変動の一検討 (EMC計測技術論文小特集)
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概要
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RF(Radio Frequency)ノイズによるIC(Integrated Circuit)の誤動作要因の一つとして, ICを構成する非線形素子の特性変動があげられる.今回,非線形素子としてバイポーラトランジスタを対象とし,トランジション周波数以上の大振幅RF信号をベースから印加した場合のDC特性変動を測定およびシミュレーションにより評価した.その結果,RF印加によりV_<CE>特性において,(1)活性領域でコレクタ電流が減少する.(2)V_<CE>=0Vの点でコレクタオフセット電流が流れるという変動を生じることがわかった.この要因について検討し,(1)はRFによるベース電流の大きな変化により,コレクタ電流が飽和する領域まで変化するため,引き起こされていること.(2)はコレクタ負荷抵抗の電位変動により,コレクタ電流が正方向のみ流れるため生じていることを明らかにした.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-11-25
著者
-
林 宏明
(株)豊田中央研究所
-
林 宏明
株式会社豊田中央研究所
-
服部 佳晋
豊田中央研究所
-
只野 博
(株)豊田中央研究所
-
服部 佳晋
(株)豊田中央研究所
-
長瀬 宏
(株)豊田中央研究所
-
加藤 貴敏
(株)豊田中央研究所
-
服部 佳晋
株式会社豊田中央研究所
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