リーク電流補償によるCMOS ICの高温動作化
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概要
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MOS ICの高温動作化を実現するために, 従来方式よりも高精度に補償できる新しい補償回路を提案し, 基準電圧発生回路に適用して, 試作・評価を行った結果, 20〜40℃動作温度が拡大した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-02-25
著者
-
水野 健太朗
豊田中央研究所 機能デバイス研究室
-
水野 健太郎
豊田中央研究所 機能デバイス研究室
-
太田 則一
豊田中央研究所
-
長瀬 宏
(株)豊田中央研究所
-
長瀬 宏
豊田中央研究所
-
水野 健太朗
株式会社 豊田中央研究所
-
水野 健太朗
豊田中研
-
北川 文孝
豊田中央研究所
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