オペアンプのRFノイズ耐性の検討
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概要
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入力トランジスタの種類が異なる汎用オペアンプLF356(JFET(Junction-Field-Effect Transistor)入力)とLM324(バイポーラトランジスタ入力)を対象として反転増幅器を構成し, オペアンプの各端子から10MHz〜2GHzで大振幅のRF(Radio Frequency)信号を注入した場合のDC出力電圧を評価した.両オペアンプとも反転入力端子からRFを注入した場合, 正のDC出力電圧が, 非反転入力端子から注入した場合, 負のDC出力電圧の発生が観測された.この電圧は, 入力トランジスタでRFが整流されることによって発生していることを明らかにした.また電源, 出力端子からRFを注入した場合, LM324では大きなDC出力電圧が発生したのに対し, LF356では出力電圧は, ほとんど発生しないことがわかった.今回の評価回路では, 電源, 出力端子から注入したRFは, オペアンプ内部を通って入力トランジスタまで伝搬し, そこで整流され, DC電圧を発生していることを明らかにした.また両オペアンプのRFノイズ耐性の差は, 入力トランジスタの違いによるRFの整流効率の差が原因であることを示した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-07-25
著者
-
服部 佳晋
豊田中央研究所
-
糸魚川 貢一
(株)東海理化
-
只野 博
(株)豊田中央研究所
-
糸魚川 貢一
(株)東海理化技術開発センター開発部マイクロシステム開発室
-
服部 佳晋
(株)豊田中央研究所
-
長瀬 宏
(株)豊田中央研究所
-
服部 佳晋
株式会社豊田中央研究所
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