大振幅RF注入によるMOSFETのDC特性変動の検討
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概要
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車載IC(Integrated Circuit)のRF(Radio Frequency)ノイズによる誤動作は,車載電子システムの高信頼化のために解決すべき問題である.今回,MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor)を対象とし,100MHz∼2GHzで大振幅のRF信号をゲートまたはドレインから注入した場合のV_D-I_D特性の変動を測定した.その結果,ゲートからRFを注入した場合,(1)飽和領域でドレイン電流が増加,(2)線形領域でドレイン電流が変化,(3)V_D=0V付近において負のドレイン電流が発生する変動を生じた.これらの要因について検討し,(1),(2)は,ゲート電圧に対するドレイン電流の非線形性により発生していること,(3)は,注入したRFがゲート酸化膜容量と基板の寄生抵抗により分圧され,基板-ドレイン間に形成される寄生ダイオードの順方向電流が流れるために発生していることを明らかにした.またドレインからRFを注入した場合もV_D=0V付近において大きな負のドレイン電流が発生した.これも基板-ドレイン間の寄生ダイオードの順方向電流が流れるため発生していることを示した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-12-25
著者
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