高温超電導単一磁束量子論理回路
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
高温超電導体はギャップ電圧が大きい(数10 mV)ため, 論理デバイスを電圧ラッチモードで動作させると論理振幅が大きくなる。そのため消費電力が大きくなり, 従来の金属系超電導体(ギャップ電圧約3 mV)のような低消費電力性(半導体の約1000分の1)を活かした高密度実装ができない。そのためシステムを小型化することによる配線遅延の低減なども期待できない。このような高温超電導論理デバイスで大容量高速性を実現するためには, 定常電圧を発生する電圧ラッチモードではなく, 瞬時電圧のみを発生する磁束量子転移モードで動作させればよい。このような磁束量子転移モードで動作させるデバイスとしては, K. K. Likharevが提案したRSFQ (Rapid Single Flux Quanmm)や, QFP, NSFQなどがある。これらは, はじめ金属系超電導体(Nb接合)を用いて研究されていたが, 最近では高温超電導体を用いた研究が盛んになっている。本報告では, コプレナ形DC-SQUIDを用いて製作した高温超電導SFQプリップフロップ(SFQ-F/F)について述べる。またこのSFQ-F/Fの動作シミュレーションについても報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-06
著者
関連論文
- La_Sr_xCuO_4の混合状態のホール効果II
- 28p-L-8 La_Sr_xCuO_4の混合状態のホール効果
- 電磁界シミュレーションによる超電導マイクロストリップライン共振器の研究
- 31p-R-2 高温超伝導体の渦糸状態におけるホール効果:ドーピング依存性に見られるUniversality
- C-8-8 2次(K=2)因子N=4の多段デシメーションsincフィルタ
- C-8-5 3入力XOR回路を用いた超電導4ビット全加算器の設計
- C-8-15 SFQ-NORデコーダ回路に及ぼす直流電源ラインの磁場の影響
- C-8-10 単一磁束量子1次sincフィルタの高速動作
- C-8-2 3入力XOR回路で構成した超電導全加算器
- 超電導ラッチSFQハイブリッドRAM
- SC-5-5 超伝導ランダムアクセスメモリ
- (Hg,Re)1212薄膜共振器の10GHzパワー特性
- (Hg,Re)1212 薄膜共振器の10GHzパワー特性
- 温度変化による超電導フィルタのチュウナブル特性の検討(マイクロ波超電導/一般)
- 液相成長YBCO膜の臨界電流と22GHz表面抵抗(材料/一般)
- Ce0_2を中間層にしたMgO基板上におけるTFA-MOD YBCO薄膜の臨界電流と22GHz表面抵抗(マイクロ波超伝導/一般)
- CeO_2を中間層にしたMgO基板上におけるTFA-MOD YBCO 薄膜の臨界電流と22GHz表面抵抗(マイクロ波超伝導/一般)
- YBCO薄膜のマイクロ波表面抵抗と電磁誘導法による臨界電流密度特性
- 液相成長高温超電導フィルターのマイクロ波パワー特性
- 25pSG-9 LPE法で作成したYBCO薄膜の非対称45゜粒界接合における異常な輸送特性
- 5a-M-11 YBCO薄膜のHall効果の不可逆領域における符号反転
- 大電流密度かつ強磁場領域でのYBCO薄膜のI-V特性
- 29a-Q-8 パルス磁場によるYBCO薄膜の強磁場中ホール効果測定
- 29p-W-7 パルス強磁場によるYBCO薄膜の磁気抵抗効果測定
- SCE2000-21 / MW2000-85 楕円関数型超電導フィルタ特性
- サファイア誘電体表面抵抗測定によるNBCO両面薄膜評価
- マイクロ波帯域高温超電導ミキサー
- YBCOステップエッジ接合のマイクロ波特性
- 衛星放送受信用YBCO集積回路
- 高温超電導単一磁束量子論理回路
- 6a-ZB-5 La_sSrCu_6O_単結晶薄膜の特性
- 6p-Z-16 La_5SrCu_6O_の電気的磁気的
- 5p-Z-9 Ba_xK_BiO_3及びBaPb_Bi_xO_3における遍歴電子、バイポーラロン共存下の超伝導
- 5p-PS-28 陽電子消滅による高温超伝導体のフェルミ面の決定
- 酸化物超伝導体薄膜--その作製と特性 (酸化物超伝導体) -- (材料の開発)
- 酸化物超伝導体薄膜の作製とその特性
- スパッタリングによる単結晶薄膜の作製 (酸化物高温超伝導体の作製(技術ノ-ト))
- 酸化物超伝導体単結晶薄膜作製とその特性
- 27p-PS-36 Ba_2YCu_3O_単結晶薄膜の電気的特性
- 27p-PS-34 La-Cu-Oの超伝導
- 27p-PS-33 (La_Sr_x)_2CuO_4, Ba_2YCu_3O_単結晶薄膜の光学特性
- 酸化物超伝導体薄膜の作製とその特性 (酸化物高温超伝導体)
- 酸化物高温超電導体薄膜の作製とその特性 (超電導材料--酸化物超電導体を中心として)
- 27a-RB-7 BaBiO_3-BaPbO_3多層膜
- BaPb1-xBixO3(BPB)の光検出素子への応用 (酸化物超伝導材料(特集))
- 5a-L-9 BaPb_Bi_xO_3薄膜の超伝導転移付近における電気抵抗の振舞い
- 2p-J-7 BaPb_Bi_xO_3(BPB)の応用
- 13p-C-1 BaPb_Bi_O_3薄膜粒界ジョセフソン接合の電磁波応答
- 4p-NF-4 BaPb_Bi_O_3薄膜の粒界ジョセフソン電流の特性
- 温度変化による超電導フィルタのチュウナブル特性の検討(マイクロ波超電導/一般)
- 超伝導シグマデルタ変調器の伝達関数の解析計算(II)(デバイス・一般)
- 超伝導シグマデルタ変調器の伝達関数の解析計算
- 超伝導シグマデルタ変調器の伝達関数の解析計算(エレクトロニクス)
- C-2-95 高温超電導マイクロストリップ集中定数帯域通過フィルタの設計
- C-8-8 単一磁束量子多段デシメーション3次sincフィルタ
- ジョセフソンミクサのIF出力特性
- ミリ波超伝導ミキサ・アンテナの検討
- ミリ波超電導ミキサ・アンテナの検討
- FIB加工による平坦構造のY-Ba-Cu-Oジョセフソン接合
- TFA-MOD法YBCO薄膜のマイクロ波表面抵抗と臨界電流密度特性
- TFA-MOD法YBCO薄膜のマイクロ波表面抵抗と臨界電流密度特性
- Bi_2Sr_2CaCu_2O_8イントリンシックジョセフソントンネル接合の非線形特性と擬ギャップ
- C-8-14 256ビット超伝導 ラッチ/SFQ ハイブリッドRAMの測定評価
- LPE単結晶基板上への接合作製
- C-8-6 超伝導SFQ-NOR型デコーダ回路
- 非導電性銅酸化物の誘電特性と層間絶縁層への適用可能性
- C-8-6 超電導全加算器の設計
- SFQ型Sincフィルタ
- C-8-5 SFQ型デシメーションフィルタ
- C-8-21 超電導単一磁束量子型クロスポイントスイッチ
- C-8-19 超伝導ラッチ/SFQハイブリッドRAMの設計
- 2p-R-3 YBCO単結晶上PBCO薄膜の超伝導特性
- 非対称バイクリスタル基板を用いたジョセフソン接合の特性
- YBCOを用いたa/cジョセフソン接合
- 酸化物超電導体バイクリスタル接合交直変換回路
- SCE2000-21 / MW2000-85 楕円関数型超電導フィルタ特性
- サファイア誘電体表面抵抗測定によるNBCO両面薄膜評価
- SCE2000-19 / MW2000-83 2GHz帯における高温超電導マイクロストリップ形集中定数BPFの設計
- 26pYM-6 超伝導多層膜における共鳴状態と電流
- 28a-YG-5 超伝導多層膜における束縛状態と電流
- 5a-KB-2 微粒子BaTiO_3磁器の誘導特性(II)
- SCE2000-15 / MW2000-79 白金中間層上のYBa_2Cu_3O_薄膜成長
- SCE2000-19 / MW2000-83 2GHz帯における高温超電導マイクロストリップ形集中定数BPFの設計
- SCE2000-15 / MW2000-79 白金中間層上のYBa_2Cu_3O_薄膜成長
- 超電導ラッチ/SFQハイブリッドRAM
- 超電導ラッチ / SFQハイブリッドRAM
- 酸化物超電導体RE-123表面抵抗のRE依存性
- 酸化物超電導体RE-123表面抵抗のRE依存性
- 31a-PS-31 YBa_2(Cu_M_x)_30_薄膜の超電導特性
- 5a-KB-1 微粒子BaTiO_3磁器の誘電特性(I)
- FDTD電磁界シミュレーションによる超電導マイクロストリップ共振器の研究
- FDTD電磁界シミュレーションによる超電導マイクロストリップ共振器の研究
- 電磁界シミュレーションによる超電導マイクロストリップライン共振器の研究
- 電磁界シミュレーションによる超電導マイクロストリップライン共振器の研究
- 電磁界シミュレーションによる超電導マイクロストリップライン共振器の研究
- 可変位相・超電導ミリ波ミキサーアンテナ受信器
- 可変位相・超電導ミリ波ミキサーアンテナ受信器
- 電磁界シミュレーションによる超電導マイクロストリップライン共振器の研究
- 酸化物超伝導体薄膜の作製とその特性
- 1p-YJ-3 一巻きコイル法による100TまでのYBCO薄膜の磁気抵抗測定(1pYJ 低温(高温超伝導・輸送現象,置換効果),低温)