FIB加工による平坦構造のY-Ba-Cu-Oジョセフソン接合
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概要
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この報告は、酸化物超電導体を用い、大きなIc x Rn積をもつジョセフソン接合に関するものである。しかも基板の任意な位置に従来技術よりも再現性よく特性のそろったジョセフソン接合を製作したのが特徴である。従来の積層型や段差型構造と比較し、最大60mVの大きなIc x Rn積を有し応用上大きな効果を発揮するものである。その構造の作製方法は、収束イオンビーム(FIB)を用いて基板上のコンピュータ制御された任意の位置に平坦性を保ったまま微小な照射領域を設け、その上に、酸化物超電導体薄膜を堆積する方法である。作製法、I-V特性,シャピロステップ等のマイクロ波照射効果とフランフォファパターン等の磁場依存性,そして、接合の構造および接合の特性に関し、基板へのイオンビーム照射量との関連について考察する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-07-26
著者
-
榎本 陽一
超電導工学研究所
-
鈴木 克己
超電導工学研究所・田町分室
-
鈴木 克己
超電導工学研究所
-
吉川 修一
超電導工学研究所
-
山口 恵一
超電導工学研究所
-
藤本 学
超電導工学研究所
-
Neumann Christian
超電導工学研究所
-
林 邦産
超電導工学研究所
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