FeNi斜めスパッタ下地層上に形成したCo-Sm-Oグラニュラー薄膜の磁気抵抗効果
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概要
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トンネル型磁気抵抗効果(TMR)による大きな磁気抵抗の変化を利用して、高性能薄膜磁気ヘッドや磁気センサの開発が進められている。TMR媒体として、磁性-非磁性グラニュラー薄膜は作製が容易なこともあり魅力ある媒体といえるが、これらの試料で大きなTRMを得るには数kOeという大きな磁場の印加が不可欠で、その軟磁性化が重要な課題であった。その方策としてFeNi膜で自己組織化的にうね状ナノ構造を形成した上にグラニュラー膜を成膜することにより、単層膜の場合に比べ200倍程度の磁界感度の改善が図れた。
- 2000-03-06
著者
-
井上 光輝
豊橋技術科学大学
-
藤井 壽崇
豊橋技術科学大学
-
山内 慎也
豊橋技術科学大学
-
山内 慎也
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
-
篠浦 治
TDK(株)開発研究所
-
篠浦 治
TDK株式会社開発研究所
-
篠浦 治
TDK (株) 開発研究所
-
篠浦 治
Tdk(株) 開発研究所
-
篠浦 治
Tdk株式会社
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