斜めスパッタ薄膜下地層を用いたグラニュラー薄膜の軟磁性化
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概要
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Magnetic softening of the tunnel-type magneto-resistance (TMR) effect of Co-Sm-O granular magnetic films was attempted by employing FeNi under layer films that were sputtered under an oblique cathode arrangement. The obliquely sputtered FeNi films had a nano-scale corrugated structure whose height and spacing were approximately 10 nm. Because of the stray field acting between neighboring corrugations of the FeNi film, the resistivity change of the Co-Sm-O granular film formed on the obliquely sputtered FeNi film showed good low-field response, reaching about 240 times higher than that of the single-layer Co-Sm-O film.
- 2001-04-15
著者
-
藤井 壽崇
愛知工科大
-
井上 光輝
豊橋技術科学大学
-
藤井 壽崇
豊橋技術科学大学
-
山内 慎也
豊橋技術科学大学
-
山内 慎也
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
-
篠浦 治
TDK(株)開発研究所
-
篠浦 治
TDK (株) 開発研究所
-
篠浦 治
Tdk(株)
-
篠浦 治
Tdk(株) 開発研究所
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