LSIにおけるゲートレベルのEMIノイズ解析手法
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概要
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近年、EMIノイズに関する問題が非常に顕著になってきており、LSIのEMIノイズ解析はノイズ源の根本治療のために必須となりつつある。本稿では、LSI開発において汎用的に用いられているゲートレベルシミュレータを応用したEMI特性見積もり手法を提案する。また、マイコン用テストチップを用いて本手法と実測とのLSI電源電流スペクトラムについて比較、検討を行った結果についても報告する。実験結果から、従来のトランジスタレベルのEMIノイズ解析手法と比較して、桁違いに高速化しつつも、実測と相関のあるEMIノイズ解析を実現できることが示された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-12-08
著者
-
福本 幸弘
松下電器産業(株)
-
辻川 洋行
松下電器産業(株)半導体杜
-
福本 幸弘
松下電器産業株式会社システムエンジニアリングセンター
-
高橋 英治
松下電器産業(株)マルチメディア開発センター
-
島崎 健二
神戸大学 工学部 情報知能工学科
-
島崎 健二
神戸大学工学部情報知能工学科
-
米田 貴史
松下電器産業(株)半導体社
-
島崎 健二
松下電器産業(株)
-
平野 将三
松下電器産業(株)
-
平野 将三
松下電器産業(株)半導体杜
-
福本 幸弘
松下電器産業株式会社
-
辻川 洋行
松下電器産業
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