反応性蒸着法によるInN-In_2O_3系薄膜の作製
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概要
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窒素と酸素の混合プラズマを用いた反応性蒸着法によりInNとIn_2O_3の混合系薄膜をα-Al_2O_3(0001)基板上に作製した.得られた薄膜の窒素および酸素含有量に対する結晶構造,電気的特性および光学的特性の変化について検討を行った.作製時に導入する酸素の混合比が5%程度までの場合にはc軸配向したInN薄膜が得られ,また20%以上とした場合には(111)配向性を有するIn_2O_3薄膜が得られた.InNの結晶構造を有する薄膜では,窒素含有量の減少および酸素含有量の増加に伴いキャリア密度の増加が見られた.作製したInN-In_2O_3系薄膜の低抗率は10^-4>Ω・cmから1Ω・cm程度まで変化し,バンドギャップエネルギーは1.9eVから3.7eVまで変化した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-09-16
著者
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