YAGレーザ照射によるBaTiO_3系薄膜マイクロPTCサーミスタの作製
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概要
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BaTiO_3系材料による薄膜マイクロPTCサーミスタを得るための一つの手法として, YAGレーザ光をTi薄膜とBaO薄膜の積層膜の微小領域に照射してPTC特性を有するBaTiO_3半導体とすることを試みた.その結果, 空気中で照射するレーザ光の照射パワーや走査速度を適度に加減することで微小領域の抵抗値を容易に制御することができ, BaTiO_3半導体が得られた.また, 形成されたBaTiO_3半導体の抵抗値が十分に低い場合にPTC特性が発現するサーミスタとなった.更に, Tiサイトの一部をZrで置換し, 温度上昇に対して抵抗値が急増し始める温度の制御も試みたが, バルクBaTiO_3と同様に本研究で用いた手法によっても制御が可能であることがわかった.この手法によれば, 薄膜堆積時あるいは堆積後の基板全体の高温加熱が必要なく, 単一基板上にマイクロPTCサーミスタを含む多種多様の薄膜マイクロデバイスが混在するハイブリット薄膜デバイスの作製が可能となる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-04-25
著者
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