InN-In_2O_3系薄膜の電気的光学的特性
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概要
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Thin films of the InN and In_2O_3 mixture systern were deposited on α-Al_2O_3 (0001) substrates by reactive evaporation in mixed nitrogen-oxygen RF plasma. Crystal structure and electrical and optical properties of the obtained films were studied on films containing various amounts of nitrogen and oxygen. C-axis orient ed mN thin fihns were obtained at mixing ratio of oxyg en under 5 %, and (111) oriented In_2O_3 thin films were obtained at mixing ratio of oxygen above 20%. Carrier densities of the films having InN increased as nitrogen content decreased and oxygen content increased. Resistivities of the prepared mN In_2O_3 thin films va ried from 10^<-4>Ωcm to about 1Ωcm, and band gap energies of them varied from 1.9 to 3.7 eV.
- 社団法人日本セラミックス協会の論文
- 1994-04-01
著者
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