陽極酸化ZnO膜とRFスパッタリングPr-Co-O薄膜によるヘテロ接合の電圧-電流特性
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概要
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ZnO films were prepared by anodic-oxidation of Zn metal plates at various anodic-oxidation conditions. Pr-Co-O thin films having various Co contents were deposited on the ZnO films by radio-frequency(RF)magnetron sputtering for the formation of heterojunctions. Nonlinear properties were observed in voltagecurrent(V-I)characteristics of the heterojunctions, and the threshold voltage shifted to the lower voltage side with increasing Co contents in the Pr-Co-O thin films. The nonlinearity coefficients α in the V-I characteristics became large as about 30 when transparent ZnO films were used.
- 社団法人日本セラミックス協会の論文
- 1998-02-01
著者
-
佐藤 祐一
秋田大学工学資源学部電気電子工学科
-
飯塚 博
秋田大学鉱山学部
-
佐藤 進
秋田大学鉱山学部電子工学科
-
飯塚 博
秋田大学鉱山学部電気電子工学科
-
佐藤 祐一
秋田大学鉱山学部電気電子工学科
-
進藤 知英
秋田大学鉱山学部電気電子工学科
-
田口 春男
TDK(株)電子デバイス事業本部
-
小笠原 正
TDK(株)電子デバイス事業本部
-
田口 春男
Tdk
-
田口 晴男
Tdk(株)電子デバイス事業本部
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