極薄NiFe膜のストライプパターンにおける透磁率

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概要

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垂直磁気記録用単磁極ヘッドの高分解能化には、他の磁気ヘッドと同様に微小な磁極パターン状態で高透磁率を示す軟磁性材料が求められる。このため、膜厚が20nmから60nmの単層及びTiを中間層とする二層NiFe薄膜において、幅を200μmから1μmまで狭めたときの高周波透磁率について調べた。単層膜の狭ストライプ幅では膜厚の薄いほど高い透磁率を示した。また、二層膜では透磁率が極大となるストライプ層が存在し、その幅は中間層厚が薄くなるに連れて狭くなることが見いだされた。透磁率の極大はストライプの磁区構造が多磁区状態から単磁区状態へ遷移することに関連すると推察される。ストライプ幅2μmのNiFe20nm, Ti2nm/NiFe2nm膜で透磁率1500を得た。
1994-09-22

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