単結晶磁性薄膜技術による磁気基本物性の決定
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概要
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Co系磁性膜の一軸磁気異方性定数(Ku)や減衰定数(α)などの物性値を正確に決定するために、単結晶磁性薄膜成長を行なった。MgO(110), (100)基板上にエピタキシャル成長させたCrもしくはCr合金下地上にCo系磁性膜を形成することにより、(11^-00)もしくは(112^-0)配向した単結晶あるいはバイクリスタル結晶膜が得られた。磁気トルク法によりKuの値を、FMR法によりαの値を決定した。CoCrPt磁性膜と下地のCr-Ti膜の格子定数のミスマッチとKuの関係を調べ、hcp結晶の歪みが最小の時に、最大のKu値が得られることを明らかにした。さらに、MgO(100)単結晶ディスク基板上にバイクリスタルCoCrPt膜を形成して磁気記録を行ない、磁性膜の結晶方位と磁気記録の分解能やノイズの関係を調べた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-11-21
著者
-
中村 敦
日立製作所中央研究所ストレージ・テクノロジー研究センタ
-
中村 敦
(株)日立製作所中央研究所
-
稲葉 信幸
日立中研
-
二本 正昭
株式会社日立製作所中央研究所
-
二本 正昭
日立製作所中央研究所
-
稲葉 信幸
日立製作所中央研究所
-
稲葉 信幸
山形大学大学院理工学研究科
-
中村 敦
日立製作所
-
稲葉 信幸
日立 中研
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