RFマグネトロンスパッタリング法によりGaAs(001)基板上に作製したFe(001)薄膜の磁気特性評価(信号処理及び一般)
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概要
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RFマグネトロンスパッタリング法を用いてGaAs(001)基板上にFe(001)薄膜(膜厚≧6nm)を成膜し,X線回折法(XRD)による結晶構造解析を行いFe薄膜がエピタキシャル成長していることを確認した.磁気特性は振動試料型磁力計(VSM)と強磁性共鳴法(FMR)による測定を行った.膜面平行に磁界を印加したVSM測定による磁化曲線はFe[100]方向が磁化容易方向,[110]方向が磁化困難方向であることを示しており,飽和磁化の値はbulkFeとほぼ同じ大きさを持つことが確認された.またFMRにより測定された面内磁気異方性は,bcc Feに対応する4回対称であり,FMRの共鳴線幅から求めたダンピング定数は極めて小さい値を示した.
- 2010-12-02
著者
-
二本 正昭
中央大学理工学部
-
桐野 文良
東京芸術大学大学院美術研究科
-
大竹 充
中央大学理工学部
-
桐野 文良
東京藝術大学大学院美術研究科
-
稲葉 信幸
日立中研
-
稲葉 信幸
山形大学大学院理工学研究科
-
桐野 文良
東京藝術大学大学院美術研究科文化財保存学専攻
-
稲葉 信幸
日立 中研
-
二本 正昭
日立
-
和田 祐也
山形大学大学院理工学研究科
-
池谷 浩和
山形大学大学院理工学研究科
-
高橋 豊
山形大学大学院理工学研究科
-
桐野 文良
東京藝術大 大学院美術研究科
-
桐野 文良
東京芸術大学
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