クリティカルエリア削減による歩留り向上再配線手法(信号処理,LSI,及び一般)

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概要

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テクノロジの微細化に伴いLSIの製造歩留りの低下が問題となっている。LSI製造中に発生した微少なゴミに起因する配線間のショートによる製造不良の発生確率の指標としてクリティカルエリアがある。配線を後処理で変更する事で、クリティカルエリアを削減し、歩留りを向上させる再配線手法を開発した。本手法の適用により、クリティカルエリアは最大40.56%減少した。その結果、配線歩留りは2.0〜5.8%向上すると見積もられる。実際にLSIを試作し、ほぼ見積もり通りの歩留り向上効果を確認した。
社団法人電子情報通信学会の論文
2004-06-11

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